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Typical Characteristics
10
2500
I D = -8.8A
V DS = -5V
-10V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
6
4
2
0
-15V
2000
1500
1000
500
0
C RSS
C OSS
C ISS
0
6
12
18
24
30
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
10ms
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
10s
V GS = -10V
DC
20
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
o
R θ JA = 125 C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
SI4435DY Rev D1(W)
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